

ACS Material 单层氮化硼薄膜(HBN)Si/SiO2基
货号:103928 编号:XF298
CAS号:7440-42-8 规格:尺寸:直径4英寸
包装:1片 保质期:90天
保存条件:常温干燥避光密封保存

产品名称
中文名称:ACS Material 单层氮化硼薄膜(HBN)Si/SiO2基底
英文名称:ACS Material Hexagonal Boron Nitride (h-BN) on Si/SiO2
产品概述
氮化硼薄膜是一种由交替的硼原子和氮原子组成的二维材料,具有类石墨烯的蜂巢晶格结构。它继承了氮化硼块体材料的优异性能,包括力学、电学、热学和光学性能,并且由于其特殊的二维结构,拥有更多的特性和更广泛的应用前景。CVD法是通过将含有硼和氮元素的气体或蒸汽引入反应室,在衬底表面发生化学反应,从而沉积出氮化硼薄膜。这种方法可以在较低的温度下实现高密度、高质量的薄膜沉积,并且可以通过调整反应条件来控制薄膜的厚度、结晶度和形貌。
技术参数
产品特点
优异的绝缘性:氮化硼本身就是一种良好的电绝缘体,CVD制备的氮化硼膜继承了这一特性,其电阻率非常高。
良好的热稳定性和高导热性:CVD氮化硼膜在高温下仍能保持结构和性能的稳定。具有较高的热导率,大约在几十到几百W/(m·K)之间(具体数值会因膜的质量和结构等因素有所不同)。这种高导热性使其能够有效地将热量从发热源传导出去,在散热应用中具有重要价值。
化学稳定性:CVD氮化硼膜对大多数化学物质具有惰性,不易与酸、碱、有机溶剂等发生化学反应。
表面平整度高:通过CVD方法制备的氮化硼膜通常具有较为光滑和平整的表面。
成分纯净度较高:通过CVD方法可以制备出相对纯净的氮化硼膜,杂质含量较低。这有助于充分发挥氮化硼材料本身的优良性能,减少因杂质引起的性能缺陷。
应用
电子器件:氮化硼薄膜具有良好的绝缘性能和高温稳定性,可用于电子器件的隔离层和热管理应用。
光学器件:氮化硼薄膜在可见光和紫外光区域具有良好的透过性,可用于光学器件和光学涂层。
热界面材料:由于其优异的热导性能,氮化硼薄膜可用于制备热界面材料和散热器。
威廉希尔手机版 机械系统:氮化硼薄膜具有良好的机械强度和化学稳定性,适用于威廉希尔手机版 机械系统的制造。
其他信息
原链接:https://www.acsmaterial.com/hexagonal-boron-nitride-hbn-on-si-sio2.html
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