纯进口HQ graphene硒化铟晶体

货号:101272 编号:XF107

CAS号:12056-07-4 规格:纯度: 99.995%, 尺寸: 约8mm

包装:1 盒 保质期:365天

保存条件:常温干燥避光

可选
请选择规格参数
  • 商品详情
  • 客户文章
  • 特邀评论
  • 工业应用
  • 产品咨询

产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene硒化铟晶体

英文名称:HQ graphene In2Se3 Crystal


产品概述

2H In2Se3(α相)是一种半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,并且可以剥离成薄的 2D 层。α-In2Se3 属于第 13 族过渡后金属硫族化合物 (TMDC)。 硒化铟晶体的典型横向尺寸为 ~0.6-0.8 厘米。晶体呈六角形/矩形,具有金属外观。

2H In2Se3 (alpha phase) is a semiconductor. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. α-In2Se3 belongs to the group-13 post-transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The Indium Selenide crystals have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm. The crystals are hexagonal/rectangular shaped and have a metallic appearance. 


技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~8mm

颜色: 灰黑色


产品特点

Electrical properties:Semiconductor

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic



Purity:>99.995%




应用领域

在电子学领域:

场效应晶体管(FET):硒化铟晶体由于其独特的电学特性,如高载流子迁移率,可用于制造高性能的场效应晶体管。例如,在柔性电子设备中,基于硒化铟晶体的 FET 能够实现高效的信号传输和处理。

存储器:其电阻可在不同条件下发生变化,这使得它有望应用于非易失性存储器,如阻变存储器(RRAM)。比如,在一些高密度存储芯片中,硒化铟晶体可以作为存储单元,实现快速的数据读写和长期的数据保存。

在光电领域:

光电探测器:对光具有较好的响应,可用于制造高性能的光电探测器。例如,在红外光探测中,硒化铟晶体能够将光信号转换为电信号,应用于安防监控系统或通信系统。

太阳能电池:作为太阳能电池的吸收层材料,能够有效地吸收太阳光并转化为电能。比如,在新型薄膜太阳能电池中,硒化铟晶体可以提高电池的光电转换效率。

在传感器领域:

气体传感器:对某些特定气体具有敏感性,可用于制造气体传感器来检测环境中的有害气体。例如,检测一氧化碳、氨气等气体的浓度变化。

在威廉希尔手机版 技术领域:

威廉希尔手机版 器件:由于其在威廉希尔手机版 尺度下的特殊性质,可用于构建威廉希尔手机版 级别的电子和光电子器件。比如,利用硒化铟晶体制造威廉希尔手机版 级的场效应晶体管,实现更小尺寸和更高性能的威廉希尔手机版 电路。


其他信息
如您想了解更多产品详情,可拨打电话400-025-3200,您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接:http://www.hqgraphene.com/In2Se3.php








姓名:
联系电话:
邮箱:
咨询主题:
咨询内容:
回复方式:
快递服务

江浙沪皖用户邮费为10元,其他地区用户邮费为20, 国际运费请咨询sales@xfnano.com。购买满 500.0 元免运费。如果库存显示为0, 请电话或邮件和销售确认,免费热线电话:400 025 3200邮件:sale@xfnano.com 感谢您的支持!

推荐商品
热销 单层石墨烯粉末物理法
热销 氮掺杂石墨烯粉末
热销 ACS Material 一步转移石墨烯薄膜 1cmx1cm
热销 ACS Material 一步转移石墨烯薄膜 5cmx5cm
热销 单层氧化石墨烯 粉末
热销 机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼